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| 型号 | SI8409DB-T1-E1 |
| 厂商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP |
| SI8409DB-T1-E1 PDF |  |
| 代理商 | SI8409DB-T1-E1 |
| 产品目录绘图 | DB-T1-E1 Series 4-MFP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大 | 1.47W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装 | 4-Microfoot |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI8409DB-T1-E1TR |
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